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一种3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法

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本发明提供了一种3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法，所述形成方法至少省去第二层多晶硅沉积前的预清洗步骤；优选省去第一层多晶硅回刻以及沉积氧化物保护层的步骤。由于没有第一层多晶硅，使得第二层多晶硅在沟道侧壁、在ONO叠层拐角和硅外延层(SEG)上的沉积厚度一致性更好，特别是在ONO叠层拐角处较现有技术提高了厚度，并且长度缩短，从而降低了此处过薄和断裂导致的器件开启电流(I

著录项

公开/公告号CN107706191B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-14

原文格式PDF
申请/专利权人长江存储科技有限责任公司;
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申请/专利号CN201710724646.8
发明设计人陆智勇;王香凝;唐兆云;隋翔宇;程媛;李冠男;王家友;赵新梅;赵治国;王猛;
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申请日2017-08-22
分类号
代理机构北京辰权知识产权代理有限公司;
代理人郎志涛
地址 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
入库时间 2022-08-23 10:22:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-12-14

授权

授权
2018-03-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/1157 申请日:20170822

实质审查的生效
2018-03-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/1157 申请日:20170822

实质审查的生效
2018-02-16

公开

公开
2018-02-16

公开

公开
2018-02-16

公开

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