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一种控制横向ZnO纳米线阵列紫外探测器均匀性的方法

摘要

一种控制横向ZnO纳米线阵列紫外探测器均匀性的方法,涉及纳米技术与紫外探测技术领域。本发明利用水热法技术,基于二氧化硅衬底、种子层、台阶之间的相互作用,通过依次调整二氧化硅衬底种类、台阶处坡度、种子层厚度、溶液生长浓度和生长时间等实验参数得到高均匀性横向ZnO纳米线阵列的紫外探测器。本发明简单有效,提高了探测器均匀性和稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN107123701B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201710317590.4

  • 申请日2017-05-08

  • 分类号

  • 代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人张立改

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 10:22:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-30

    授权

    授权

  • 2017-09-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20170508

    实质审查的生效

  • 2017-09-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20170508

    实质审查的生效

  • 2017-09-01

    公开

    公开

  • 2017-09-01

    公开

    公开

  • 2017-09-01

    公开

    公开

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