法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-14
授权
授权
2017-02-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/08 申请日:20150702
实质审查的生效
2017-02-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20150702
实质审查的生效
2017-01-11
公开
公开
2017-01-11
公开
公开
机译: 具有垂直形状各向异性和最小化温度记忆点和逻辑元素(包括磁隧道结)的正交形状各向异性的磁隧道结,制造磁隧道结的方法
机译: 具有垂直各向异性和最小化温度变化的磁隧道结,包括磁隧道结的记忆点和逻辑元素,制造磁隧道结的方法
机译: 具有非均质自由层结构的磁隧道结(MTJ)设备,特别适合于自旋扭矩传递(STT)磁随机访问存储器(MRAM)(STT MRAM)