在FinFET半导体装置上形成绝缘材料的方法及所得到的装置

摘要

本发明涉及在FinFET半导体装置上形成绝缘材料的方法及所得到的装置，公开一种方法包括，除其他之外，形成初始鳍片结构，用蚀刻停止材料覆盖该初始鳍片结构的顶部表面及部分侧壁，形成牺牲栅极结构于该初始鳍片结构之上及周围，形成侧壁间隔件相邻于该牺牲栅极结构，进行至少一道工艺运作以去除该牺牲栅极结构从而定义替代栅极孔，进行至少一道蚀刻工艺通过该替代栅极孔以去除部分该初始鳍片结构从而定义最终鳍片结构及位于该最终鳍片结构下方的通道孔，以及用绝缘材料实质填充该通道孔。