公开/公告号CN105590865A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;
申请/专利号CN201510745195.7
申请日2015-11-05
分类号H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L27/088(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2023-12-18 15:25:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-16
专利权的视为放弃 IPC(主分类):H01L21/336 放弃生效日:20190816 申请日:20151105
专利权的视为放弃
2016-06-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20151105
实质审查的生效
2016-05-18
公开
公开
机译: 在FinFET器件上形成替代栅极结构的方法及所得器件
机译: 在finFET器件上形成替代栅极结构的方法及所得器件
机译: 在FinFET器件和所得器件上形成替代栅极结构和鳍的方法