バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nnのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性

摘要

酸化トリミングによる微細なフィンの形成、新規パンチスルーストッパー(PTS)形成技術の適用により、バルクシリコン基板を用いたFinFET(Bulk-FinFET)としてはこれまでで最小のゲート長20nmでのMOSFET動作を確認した。 新規PTS形成技術は従来のPTS形成技術と比較してDIBLの抑制に効果があると同時に、低チャネル不純物濃度によるGm向上、接合容量低減などのメリットがあることがわかった。