首页> 中国专利> 一种基于虚拟阴极沉积(VCD)的薄膜制造工艺

一种基于虚拟阴极沉积(VCD)的薄膜制造工艺

摘要

一种虚拟阴极沉积装置,利用虚拟等离子体阴极产生高密度电子束以消融固体靶材。高压电脉冲电离气体产生的等离子体短时间出现在靶材前方,作为靶材附近的虚拟等离子体阴极。然后这种等离子体消失,允许被消融的靶材以等离子体羽流的形式流向衬底。多个虚拟阴极同时提供羽流以汇合成一个均匀的等离子体羽流,该等离子体羽流在附近的衬底上冷凝以导致大范围的均匀厚度薄膜的沉积。

著录项

  • 公开/公告号CN107231818B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 等离子体应用有限公司;

    申请/专利号CN201580050192.X

  • 发明设计人 德米特里·亚莫利奇;

    申请日2015-09-18

  • 分类号

  • 代理机构杭州千克知识产权代理有限公司;

  • 代理人裴金华

  • 地址 英国牛津哈维尔卢瑟福阿普尔顿实验室64幢18室

  • 入库时间 2022-08-23 10:21:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-07

    授权

    授权

  • 2017-11-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J3/02 申请日:20150918

    实质审查的生效

  • 2017-11-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 3/02 申请日:20150918

    实质审查的生效

  • 2017-10-03

    公开

    公开

  • 2017-10-03

    公开

    公开

  • 2017-10-03

    公开

    公开

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