一种肖特基势垒半导体整流器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种肖特基势垒半导体整流器，包括肖特基势垒金属层、外延层及第一沟槽，第一沟槽内设有隔离层及二氧化硅栅氧层，二氧化硅栅氧层向上延伸形成介质墙壁，介质墙壁两侧设有导电多晶硅侧墙，外延层上部与导电多晶硅侧墙之间设有第二沟槽，外延层上部设有横向均匀掺杂区和梯度掺杂区，梯度掺杂区与二氧化硅栅氧层之间设有沟道，外延层下部、横向均匀掺杂区、梯度掺杂区及二氧化硅栅氧层之间设有间隔区，第二沟槽中设有第三沟槽，肖特基势垒金属层位于第三沟槽内侧表面与外延层接触形成肖特基势垒。本发明正向导通特性与器件可靠性好。本发明还公开了一种肖特基势垒半导体整流器制造方法，工艺窗口大，易于控制，光刻次数少，制造成本低。