栅极硬掩模层的去除方法

摘要

本发明公开了一种栅极硬掩模层的去除方法，在栅极顶部和侧墙硬掩模层去除前，通过增加一步薄膜沉积和化学机械研磨形成一层保护层，将栅极和栅极两侧的硬掩模层覆盖，仅暴露出栅极顶部的硬掩模层，然后采用热磷酸将栅极顶部的硬掩模层去除，再使用氧气灰化或DHF湿法刻蚀去除保护层，最后通过热磷酸将栅极两侧的硬掩模层减薄或者去除。本发明可以降低在硬掩模去除时对栅极两侧的过刻蚀导致的多晶硅栅的消耗，避免了沟道长度变小导致的器件参数的漂移等影响，提高了器件的可靠性。