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半导体膜厚度量测校准标准片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体膜厚度量测校准标准片及其制造方法,所述校准标准片包括晶圆基片以及位于所述晶圆基片表面的至少2个不同膜厚等级的图案区域。本发明由于在同一片标准片上形成多个厚度等级的图案区域,进而可以采用同一片标准片对多个厚度等级进行校准。与现有技术相比,本发明可节省购买标准片的开支,提高了薄膜厚度量测机台对产品的量测利用率和操作人员的工作效率,同时也降低了标准片晶圆的破片机率和管控的效率。

著录项

  • 公开/公告号CN104716125B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201310695221.0

  • 发明设计人 刘媛娜;尹正朝;周欣洁;

    申请日2013-12-17

  • 分类号

  • 代理机构北京德琦知识产权代理有限公司;

  • 代理人牛峥

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 10:20:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-02

    授权

    授权

  • 2015-07-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/544 申请日:20131217

    实质审查的生效

  • 2015-07-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/544 申请日:20131217

    实质审查的生效

  • 2015-06-17

    公开

    公开

  • 2015-06-17

    公开

    公开

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