用于使N－沟道与P－沟道晶体管个别最佳化的差别隔离层的形成方法

摘要

一种形成半导体的方法，该半导体具有n-沟道晶体管(12)和p-沟道晶体管(14)且具有对于各不同类型晶体管的最佳栅极至漏极交迭电容，该方法对于各个晶体管(12、14)在栅极(16)上使用差别隔离层。第一偏移隔离层(18)在栅极(16)上形成并施行n-沟道扩展注入以建立n-沟道晶体管(12)用的源极/漏极扩展区(20)，该n-沟道晶体管(12)与该栅极(16)间隔开最佳距离。第二偏移隔离层(22)在第一偏移隔离层(18)上形成，并形成p-沟道源极/漏极扩展注入以建立p-沟道晶体管(14)用的源极/漏极扩展区(26)。与在p-沟道晶体管(14)上的栅极(16)间隔开的源极/漏极扩展区注入(26)所增加的隔离层导致了p-型掺杂物较之于n-型掺杂物更快地扩散。