去除硅中的杂质及提高其少数载流子寿命的方法

摘要

一种用于提高受到过渡金属尤其是铁污染的硅本体的少数载流子复合寿命的方法。将所述硅本体在至少200℃的温度下存放至少48小时，所述的存放温度和存放时间足以使这些金属从硅本体的体内区域扩散到其表面，从而明显可测地提高少数载流子复合寿命。