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形成具有势垒层中的金属接触的晶体管的方法

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使用第一气体组合和第二气体组合在III‑N族HEMT的势垒层(118)中蚀刻金属接触开口(132)，第一气体组合向下蚀刻到势垒层(118)中，第二气体组合进一步向下蚀刻到势垒层(118)中达位于沟道层(116)的顶表面上方的深度，沟道层(116)的顶表面接触势垒层(118)并位于势垒层(118)下方。

著录项

公开/公告号CN105324846B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-16

原文格式PDF
申请/专利权人德克萨斯仪器股份有限公司;
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申请/专利号CN201480031743.3
发明设计人 Y·近藤;S·和田;H·山崎;M·岩本;
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申请日2014-04-03
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人赵蓉民
地址美国德克萨斯州
入库时间 2022-08-23 10:19:17

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-10-16

授权

授权
2016-04-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20140403

实质审查的生效
2016-04-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20140403

实质审查的生效
2016-02-10

公开

公开
2016-02-10

公开

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