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用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用

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摘要

本申请涉及用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用。本发明涉及在大面积(>1cm

1. 用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用 [P] . 中国专利： CN105821435B . 2018.10.16
2. 用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用 [P] . 中国专利： CN105821435A . 2016-08-03
3. Conductivity-based selective etching for GaN devices and applications thereof [P] . 日本专利： JP5961557B2 . 2016-08-02

机译：用于GaN器件的基于电导率的选择性蚀刻及其应用
4. Conductivity-based selective etching for GaN devices and applications thereof [P] . 日本专利： JP2013518447A . 2013-05-20

机译：用于GaN器件的基于电导率的选择性蚀刻及其应用
5. CONDUCTIVITY BASED SELECTIVE ETCH FOR GAN DEVICES AND APPLICATIONS THEREOF [P] . EP3923352A4 . 2021-12-15

机译：基于电导率的GaN装置的选择性蚀刻和其应用