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一种自驱动宽光谱响应硅基杂化异质结光电传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种自驱动宽光谱响应硅基杂化异质结光电传感器及其制备方法,其中所述光电传感器包括金属背电极、N型硅基底、N型硅纳米线阵列、有机聚合物半导体薄膜和传感器正极。其中,该杂化光电传感器器件特征在于N型硅纳米线阵列与有机聚合物半导体薄膜构成三维立体的异质结接触,有效缩短了光生载流子传输路径,提高分离效率,通过界面烷基化处理减少表/界面复合效应。所述的硅基微纳结构不仅是作为主要吸光层,而且还是光生载流子的产生和传输层,空穴传输层所述的为P型有机半导体薄膜。本发明的光电传感器具有自供电、宽光谱响应、低成本大面积制备、光电响应速度快等特点。

著录项

  • 公开/公告号CN105720197B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 暨南大学;

    申请/专利号CN201610094507.7

  • 申请日2016-02-19

  • 分类号H01L51/42(20060101);H01L51/48(20060101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈燕娴

  • 地址 510632 广东省广州市黄埔大道西601号

  • 入库时间 2022-08-23 10:18:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-09

    授权

    授权

  • 2016-07-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/42 申请日:20160219

    实质审查的生效

  • 2016-07-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/42 申请日:20160219

    实质审查的生效

  • 2016-06-29

    公开

    公开

  • 2016-06-29

    公开

    公开

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