法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-25
授权
授权
2016-09-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20160706
实质审查的生效
2016-09-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20160706
实质审查的生效
2016-08-24
公开
公开
2016-08-24
公开
公开
机译: 一种半导体存储器系统的制造方法,其能够保持变阻存储器中存储的数据
机译: 利用阻气层和偏置臂单晶硅衬底的SiC体积单晶的制造方法。
机译: 制备基于多氧化物的单晶膜的方法以及由该方法制备的基于多氧化物的单晶膜