首页> 中国专利> 控制刷新周期的半导体存储器件、存储系统及其操作方法

控制刷新周期的半导体存储器件、存储系统及其操作方法

摘要

一种半导体存储器件包括单元阵列和耦合到单元阵列的刷新控制器。刷新控制器被配置为基于关于单元阵列的地址信息在第一刷新地址序列中插入至少一个插入刷新地址以产生第二刷新地址序列,并将第二刷新地址序列应用到单元阵列,使得被选择的单元可以更频繁地被刷新而不增加整体的刷新率。

著录项

  • 公开/公告号CN103544988B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-10-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201310293461.8

  • 发明设计人 金中植;金澈;申相浩;

    申请日2013-07-12

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人邵亚丽

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 10:17:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-02

    授权

    授权

  • 2015-06-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/406 申请日:20130712

    实质审查的生效

  • 2015-06-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/406 申请日:20130712

    实质审查的生效

  • 2014-01-29

    公开

    公开

  • 2014-01-29

    公开

    公开

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