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提高光刻工艺中图形关键尺寸的均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种提高光刻工艺中图形关键尺寸的均匀性的方法,包括如下步骤:步骤一、测量各种不同的图形周期下,各种不同的局部图形密度对相应的图形周期下的图形关键尺寸的影响,并根据测量结果建立光刻工艺调整规则;步骤二、对已经设计好的产品版图的本层图形进行局部图形密度统计;步骤三、根据本层图形的局部图形密度分布,按照光刻工艺调整规则对本层图形的各图形对应的光罩关键尺寸进行调整。本发明能消除版图中局部图形密度的变化对图形关键尺寸的影响,使各种局部图形密度下的各图形关键尺寸趋于和设计要求相同,提高图形关键尺寸的均匀性。

著录项

  • 公开/公告号CN107121895B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201710530447.3

  • 发明设计人 王雷;

    申请日2017-06-30

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭四华

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 10:15:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-21

    授权

    授权

  • 2017-09-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/20 申请日:20170630

    实质审查的生效

  • 2017-09-01

    公开

    公开

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