首页> 中国专利> 半导体存储器件和采用镶嵌位线工艺制造该器件的方法

半导体存储器件和采用镶嵌位线工艺制造该器件的方法

摘要

一种半导体存储器件,包括具有栅极和和在栅极两侧的接触焊盘的硅衬底;形成在衬底上的层间绝缘层,包括露出相应接触焊盘的存储结接触和位线接触,和包括凹槽形位线图形;形成在存储结接触中的存储结接触栓;和与位线图形一起形成的镶嵌位线,其通过位线接触与露出的相应接触焊盘连接。

著录项

  • 公开/公告号CN1293638C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-01-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN03147477.2

  • 发明设计人 宋斗宪;

    申请日2003-07-14

  • 分类号H01L27/10(20060101);H01L23/52(20060101);H01L21/8239(20060101);H01L21/768(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人谢丽娜;谷惠敏

  • 地址 韩国京畿道水原市

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-27

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/10 授权公告日:20070103 终止日期:20130714 申请日:20030714

    专利权的终止

  • 2007-01-03

    授权

    授权

  • 2004-05-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-02-25

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号