一种基于水性超薄ZrO₂高k介电层的薄膜晶体管制备方法

摘要

本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于水性超薄ZrO₂高k介电层的薄膜晶体管制备方法，结合n型氧化铟和p型氧化镍半导体沟道层制备全水性薄膜晶体管，选用低阻硅作为基底和栅电极，分别采用水性溶胶方法、UV光处理和热退火相结合的方式制备超薄ZrO₂栅介电层和高透过率、化学稳定性良好的In₂O₃和NiO半导体沟道层，从而进一步制备高性能、低能耗的TFT器件；其制备工艺简单，低成本，操作简便，原理可靠，产品性能好，制备环境友好，应用前景广阔，为大面积制备高性能的薄膜晶体管提供了可行性方案。