改善SONOS存储器读取操作能力的方法

摘要

本发明公开了一种改善SONOS存储器读取操作能力的方法，包括步骤：在形成栅极之后进行N型轻掺杂漏注入；形成氮化硅侧墙；在硅衬底正面形成源漏注入保护用的二氧化硅层；采用NPC层次的光罩形成第一光刻胶图形定义出SONOS晶体管和N型传输晶体管的栅极之间的接触孔开口区；利用第一光刻胶图形为掩膜分别对二氧化硅层和氮化硅侧墙进行刻蚀；进行源漏注入。本发明能提高器件的读取电流，改善器件的读取操作能力。