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干式蚀刻装置及阵列基板干式蚀刻去除静电方法

摘要

本发明提供一种干式蚀刻装置,用于阵列基板的蚀刻,所述干式蚀刻装置包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体,所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁,所述第一电极设于顶壁上,所述第二电极设于底壁上,所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极,所述导接体可相对所述反应腔体伸缩,所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体,所述导电体接地设置,本发明还公开了一种阵列基板干式蚀刻去除静电方法。

著录项

  • 公开/公告号CN105206495B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市华星光电技术有限公司;

    申请/专利号CN201510504223.6

  • 发明设计人 刘思洋;

    申请日2015-08-17

  • 分类号

  • 代理机构广州三环专利商标代理有限公司;

  • 代理人郝传鑫

  • 地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

  • 入库时间 2022-08-23 10:15:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-07

    授权

    授权

  • 2016-01-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20150817

    实质审查的生效

  • 2015-12-30

    公开

    公开

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