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【2h】

Feasibility analysis for dry plasma scribe lane etch for die separation in compound semiconductors

机译：用于化合物半导体中管芯分离的干式等离子体划线道蚀刻的可行性分析

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Almerico J.P.; Werbaneth P.F.; Cho Y.K.;
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年度 2002
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1. Feasibility Analysis for Dry Plasma Scribe Lane Etch for Die Separation in Compound Semiconductors [J] . J. P. Almerico, P. F. Werbaneth, Y. K. Cho III-Vs Review . 2002,第6期

机译：用于化合物半导体中的管芯分离的干式等离子划线机蚀刻剂的可行性分析
2. Effect of deposition temperature and thermal annealing on the dry etch rate of a-C: H films for the dry etch hard process of semiconductor devices [J] . Seung Moo Lee, Jaihyung Won, Soyoung Yim, Thin Solid Films . 2012,第16期

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3. Influence of plasma composition on reflectance anisotropy spectra for in situ III-V semiconductor dry-etch monitoring [J] . Barzen Lars, Kleinschmidt Ann-Kathrin, Strassner Johannes, Applied Surface Science . 2015,第DECa1PTaA期

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4. Dry Etch Development for a Dual, Front and Backside, processing of II-VI Compound Semiconductors [C] . A J. Stoltz, P. R. Norton International conference on compound semiconductor MANufacturing TECHnology;CS MANTECH . 2008

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