自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法

摘要

一种自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法，包括如下步骤：将砷化镓衬底进行脱氧处理，然后生长砷化镓缓冲层；砷化镓衬底温度；退火后采用循环停顿生长方法，生长出砷化铟量子点；生长厚为一个原子层至5nm的砷化镓；重复3—4步骤1—40个循环，循环累积生长自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点，提高材料的发光效率；生长2—10个原子层的砷化铝扩散阻挡层用于阻止铟原子扩散；生长1—10nm的铟镓砷缓冲层以减缓应力的变化；最后生长10—300nm的砷化镓盖层来保护所生长的材料。