一种高密度低成本磁记录介质FeNi合金及其制备方法

摘要

本发明属于信息存储技术领域，涉及一种高密度低成本磁记录介质合金L1₀‑FeNi及其制备方法。本发明的高密度低成本磁记录介质FeNi合金，为多层薄膜结构，其特征在于：FeNi薄膜是以(001)MgO为基板，Fe为种子层，Au为缓冲层，通过分子束外延方式生长制备而成的具有(001)取向的薄膜；该FeNi合金具有L1₀有序结构，满足超高密度磁记录介质的应用。本发明磁晶各向异性参数Ku可达2.3×10⁷erg/cc，在获得高磁晶各向异性能参数情况下，降低材料成本，增大合金薄膜的饱和磁化强度。