公开/公告号CN1295776C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-01-17
原文格式PDF
申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN200310122691.4
发明设计人 郭强;
申请日2003-12-24
分类号H01L21/768(20060101);H01L21/3105(20060101);H01L21/321(20060101);H01L21/00(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所;
代理人余明伟
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号
入库时间 2022-08-23 08:59:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-03-14
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 授权公告日:20070117 终止日期:20101224 申请日:20031224
专利权的终止
2007-01-17
授权
授权
2005-08-24
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-06-29
公开
公开
机译: 在双镶嵌工艺中分别对通孔和沟槽进行表面处理的方法
机译: 双镶嵌工艺中金属线沉积沟槽的形成方法
机译: 双镶嵌工艺制造通孔和沟槽的方法和结构