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可分别对双镶嵌工艺的中介窗与沟槽进行表面处理的方法

摘要

本发明提供一种利用具有倾斜角度的电浆来分别针对双镶嵌工艺的中介窗的底部与沟槽的表面进行表面处理的方法,其能达到在中介窗与沟槽刻蚀工艺后针对中介窗底部的刻蚀残留物和/或金属表面氧化物进行移除,以及对沟槽表面进行表面处理,来避免可能产生的电性不佳与增加沟槽表面与阻障金属层的附着力之目的,进而解决通常技术里无法针对中介窗与沟槽分别进行表面处理的缺点。

著录项

  • 公开/公告号CN1295776C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-01-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN200310122691.4

  • 发明设计人 郭强;

    申请日2003-12-24

  • 分类号H01L21/768(20060101);H01L21/3105(20060101);H01L21/321(20060101);H01L21/00(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所;

  • 代理人余明伟

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-03-14

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 授权公告日:20070117 终止日期:20101224 申请日:20031224

    专利权的终止

  • 2007-01-17

    授权

    授权

  • 2005-08-24

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-06-29

    公开

    公开

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