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具有交换偏置效应和电致阻变效应的异质结及其制备方法

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摘要

本发明属于磁性材料领域，提供一种具有交换偏置效应的铁磁/反铁磁异质结，以La

1. 具有交换偏置效应和电致阻变效应的异质结及其制备方法 [P] . 中国专利： CN104362250B . 2018.07.17
2. 一种具有交换偏置效应的铁磁/反铁磁异质结及其制备 [P] . 中国专利： CN110228822A . 2019-09-13
3. Transistor iii - v.sub.a heterojunction, in particular a field effect transistor hemt or bipolar transistor has heterojunction [P] . 法国专利： FR2795871B1 . 2001-09-14

机译：晶体管iii-v。异质结，特别是场效应晶体管hemt或双极晶体管具有异质结
4. HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING HIGH EFFICIENCY AND METHOD OF PREPARING THE SAME [P] . 美国专利： US2015270381A1 . 2015-09-24

机译：具有高效率的异质结场效应晶体管及其制备方法
5. Heterojunction bipolar transistor with monolithically integrated junction field effect transistor and method of manufacturing same [P] . 美国专利： US6919590B2 . 2005-07-19

机译：具有单片集成结型场效应晶体管的异质结双极晶体管及其制造方法