一种GaAs PIN光电探测器件含硅化合物的刻蚀方法

摘要

本发明涉及半导体制造业技术领域，尤其涉及一种GaAs PIN光电探测器件含硅化合物的刻蚀方法，所述GaAs PIN光电探测器件具体为在晶圆上生长含硅化合物，在含硅化合物上采用光刻工艺形成刻蚀图形，该方法包括如下步骤：采用2‑5次反应离子束方法刻蚀含硅化合物，每次按照预设时长刻蚀含硅化合物；采用BOE腐蚀液进行湿法刻蚀工艺，从而提高了刻蚀效率。