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面向国产军用IGBT模块的可靠性评估方法

摘要

本发明涉及一种面向国产军用绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块的可靠性评估方法。通过获取芯片结温、封装温度、温变幅值和年温度循环次数,匹配与国产军用IGBT对应的芯片温度应力系数、封装温度应力系数、封装温变应力系数,并由此获取模块的失效率,以获得其可靠性评估结果。该方法,由于所用参数均通过对国产军用IGBT生产厂家及用户走访调研,采用国内产品的现场信息和实验信息通过数理统计所得,因而是有针对性的面向国产军用IGBT模块的评估方法,能准确获取国产军用IGBT模块的失效率,完全体现国产军用IGBT模块的可靠性水平。

著录项

  • 公开/公告号CN104933308B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 工业和信息化部电子第五研究所;

    申请/专利号CN201510333207.5

  • 发明设计人 于迪;

    申请日2015-06-16

  • 分类号G06F17/50(20060101);

  • 代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;

  • 代理人周清华

  • 地址 510610 广东省广州市天河区东莞庄路110号

  • 入库时间 2022-08-23 10:13:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-20

    授权

    授权

  • 2015-10-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F19/00 申请日:20150616

    实质审查的生效

  • 2015-09-23

    公开

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