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公开/公告号CN105763172B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-17
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第二十四研究所;
申请/专利号CN201610076103.5
发明设计人 徐代果;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;王育新;付东兵;刘涛;刘璐;邓民明;石寒夫;王旭;
申请日2016-02-03
分类号H03K3/012(20060101);H03K3/356(20060101);
代理机构11275 北京同恒源知识产权代理有限公司;
代理人赵荣之
地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号
入库时间 2022-08-23 10:13:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-17
授权
2016-08-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H03K3/012 申请日:20160203
实质审查的生效
2016-07-13
公开
机译: - - 低功耗小区域高速主从触发器电路和具有相同的设备
机译: 具有高噪声抑制能力的低功耗高速施密特触发器
机译: 低功耗,小面积,高速主从触发器电路以及包括该电路的设备
机译:用于180 nm CMOS技术的高速,低功耗正边沿触发D触发器,用于高速相位频率检测器
机译:基于动态信号驱动策略的高速低功耗双边触发触发器设计,用于存储器应用
机译:低功耗高速隐式脉冲触发器的设计及其应用
机译:高速,低功耗,可预置的改良TSPC D触发器设计以及与TSPC D触发器的性能比较
机译:用于网络处理器的低功耗触发器分析和设计。
机译:CMOS兼容的铁电NAND闪存用于高密度低功耗和高速三维内存
机译:35 nm MTCMOS中基于低功耗的高速感测放大器的触发器
机译:紧凑,低功耗,高速石墨烯集成光子调制器技术。