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一种基于铝阳极氧化技术的基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种基于铝阳极氧化技术的基板及其制造方法。该基板包括:有多孔氧化铝介质的铝合金基板;位于铝合金基板第一表面的第一布线层;埋置于铝合金基板中的第二布线层;位于铝合金基板第二表面的第三布线层;以及贯穿铝合金基板第一表面及第二表面的铝全通柱和/或未贯穿铝合基板的铝半通柱。该基板制造方法包括以下步骤:对铝合金基板进行预处理、第一步光刻涂胶;第一步光刻;致密型阳极氧化、第一次去胶;第二步光刻涂胶、第二步光刻;穿透型阳极氧化、第二次去胶。本发明提供的基于铝阳极氧化技术的基板及其制作方法,制作流程简洁,基板热导率高,热膨胀系数可调,提高了三维封装的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN104125710B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海航天电子通讯设备研究所;

    申请/专利号CN201410394186.3

  • 发明设计人 刘凯;王盈莹;王立春;

    申请日2014-08-12

  • 分类号

  • 代理机构上海汉声知识产权代理有限公司;

  • 代理人胡晶

  • 地址 200082 上海市杨浦区齐齐哈尔路76号

  • 入库时间 2022-08-23 10:13:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-06

    授权

    授权

  • 2015-08-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05K1/02 申请日:20140812

    实质审查的生效

  • 2014-10-29

    公开

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