一种基于铝阳极氧化技术的高密度转接板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种基于铝阳极氧化技术的高密度转接板及其制造方法，该高密度转接板包括：微穿孔铝基板，薄膜互连层以及BGA结构，其中：微穿孔铝基板包括多孔铝结构、金属柱阵列、埋铝互连层以及铝通柱。该制造方法包括以下步骤：提供一表面抛光铝基板，进行多孔型阳极氧化，形成多孔铝结构，在多孔铝结构的孔隙中形成金属柱阵列，在铝基板中形成埋铝互连层和铝通柱，形成微穿孔铝基板；在微穿孔铝基板第二表面形成薄膜互连层；在微穿孔铝基板的第一表面和薄膜互连层表面形成BGA 结构。本发明提供的基于铝阳极氧化技术的高密度转接板及其制造方法，能够满足微米级高密度三维互连的需求，此外该转接板还具备优异的散热性能和可靠性。