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背照式混合成像探测器像元结构及其制备方法

摘要

本发明提供了一种背照式混合成像探测器像元结构及其制备方法,将可见光感应区域和红外感应区域集成在芯片中,采用半导体衬底作为可见光过滤层,而无需额外设置可见光过滤层,减小了器件体积、减少了工艺步骤和节约了成本;通过将红外感应结构下方的介质层和隔离层去除,以形成镂空区域,镂空区域和红外感应结构之间构成第一空腔,从而使得经半导体衬底过滤后的红外光无需通过其它材料,进而避免红外光的损失,从而提高了红外感应部件的成像质量,而且使可见光红外混合成像微型化、芯片化成为可能。

著录项

  • 公开/公告号CN105185803B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海集成电路研发中心有限公司;

    申请/专利号CN201510547858.4

  • 发明设计人 康晓旭;

    申请日2015-08-31

  • 分类号

  • 代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人吴世华

  • 地址 201210 上海市浦东新区浦东张江高斯路497号

  • 入库时间 2022-08-23 10:13:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-22

    授权

    授权

  • 2016-01-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20150831

    实质审查的生效

  • 2015-12-23

    公开

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