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提升晶圆离子植入剂量比例的离子布植方法与系统

摘要

本发明提出一种提升晶圆离子植入剂量比例的离子布植方法与系统,以让离子束仅仅扫描部分的晶圆的方式来达到高对比剂量布植。本发明所述方法包括:提供晶圆与离子束,该晶圆有至少一个布植区域与至少一个非布植区域;以及以至少一个横向移动步骤使该离子束扫描该晶圆,其中所述横向移动步骤使该离子束仅扫描通过所述布植区域而不会扫描通过所述非布植区域。

著录项

  • 公开/公告号CN105655219B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 汉辰科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201510610693.0

  • 发明设计人 蔡志昌;陆红;

    申请日2015-09-23

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人韦东

  • 地址 中国台湾新竹县宝山乡新竹科学工业园区研新一路18号5楼

  • 入库时间 2022-08-23 10:13:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-15

    授权

    授权

  • 2016-07-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/317 申请日:20150923

    实质审查的生效

  • 2016-06-08

    公开

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