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一种实现M相二氧化钒纳米线择优取向排列生长的制备方法

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摘要

本发明公开了一种实现M相二氧化钒纳米线择优取向排列生长的制备方法。本发明通过优化脉冲激光沉积技术方法实现了二氧化钒纳米线的择优取向排列生长。通过选择激光器和靶材，选择衬底，溅射通过简单的温度、氧压和沉积时间得到长度不同的VO

1. 一种实现M相二氧化钒纳米线择优取向排列生长的制备方法 [P] . 中国专利： CN105568233B . 2018.06.15
2. 一种实现二氧化钒纳米线单分散修饰和择优取向排列的方法 [P] . 中国专利： CN101538066B . 2010.11.03
3. VANADIUM DIOXIDE NANOWIRE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND NANOWIRE DEVICE USING VANADIUM DIOXIDE NANOWIRE [P] . 日本专利： JP2011001202A . 2011-01-06

机译：二氧化钒纳米线，其制备方法以及使用二氧化钒纳米线的纳米装置
4. METHOD FOR MANUFACTURING A ZINC-OXIDE NANOWIRE, CAPABLE OF ENABLING THE NANOWIRE TO BE GROWN AND ARRANGED ON A SUBSTRATE VERTICALLY [P] . 韩国专利： KR20090101617A . 2009-09-29

机译：制造氧化锌纳米线的方法，该方法能够使纳米线垂直生长并排列在基体上
5. manufacturing method for hybrid photoelectrode consisting of vertically aligned TiO2 nanowire and mesoporous TiO2 films infiltrated between TiO2 nanowires [P] . 韩国专利： KR101198325B1 . 2012-11-06

机译：垂直排列的TiO2纳米线和渗透在TiO2纳米线之间的介孔TiO2膜组成的混合光电极的制备方法