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公开/公告号CN1288738C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-12-06
原文格式PDF
申请/专利权人 未来产业株式会社;
申请/专利号CN03121841.5
发明设计人 宋在明;咸哲镐;朴赞毫;黄义星;林祐永;徐载奉;李应龙;李炳基;
申请日2003-04-21
分类号H01L21/66(20060101);G01R31/26(20060101);G01R31/28(20060101);
代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人余刚
地址 韩国忠清南道
入库时间 2022-08-23 08:59:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-12-06
授权
2004-04-07
实质审查的生效
2004-01-28
公开
机译: 带有共享输出通道的测试垫的薄膜型半导体封装,带有测试通道共享的图案的薄膜型半导体封装,测试器件和半导体器件的测试方法以及在半导体中的测试方法
机译: 半导体测试的冷却系统,以改善半导体的测试温度偏差
机译: 传送测试托盘的设备,具有该测试托盘的测试处理机以及使用该测试托盘的半导体器件的制造方法
机译:半导体器件关系在与日本半导体制造设备协会相关的第二年半导体器件的九十年半导体器件中的关系。预测
机译:半导体器件可靠性基础课程(六)-半导体器件可靠性测试-
机译:半导体器件可靠性基本课程(6)一个误导器件的可靠性测试 -
机译:微波半导体器件中硬玻璃层及其在微波半导体器件中的应用技术
机译:模型有机电子器件中半导体-半导体和半导体-介电界面的ATR-FTIR研究
机译:CuPc:掺杂的影响及其在柔性器件中应用的有机半导体性质的研究
机译:石墨烯 - 绝缘体 - 半导体电容器作为半导体器件带图的光电确定的卓越测试结构
机译:JEsD57测试标准,重离子辐照修正更新测量半导体器件中单事件效应的程序。