含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片及其制造方法

摘要

本发明提供含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片及其制造方法。本发明在该衬底上利用外延沉积技术生长氮化镓外延层；在上述氮化镓外延层上沉积一反射电极层，然后沉积一电镀种子层；在上述电镀种子层上地涂覆一种非导电物质；在上述种子层上区域选择性地生长金属基板，形成第二衬底；利用激光剥离或湿法腐蚀技术使蓝宝石衬底与氮化镓外延层的分离，漏出N极性氮化镓；在N极性氮化镓表面制备复合微结构；干法选择刻蚀N极性氮化镓，刻蚀至n‑GaN，并在n‑GaN上制作n型电极本发明采用区域性电镀复合金属基板，蓝宝石衬底剥离，表面复合微结构制备，螺旋状环形电极制备相结合的方法来实现垂直结构LED芯片。