一种采用MOCVD技术制备具有阶梯式量子阱结构近紫外LED的方法

摘要

本发明提供一种采用MOCVD技术制备具有阶梯式量子阱结构的高亮度近紫外LED的方法。本发明为其峰值波长范围在395‑410nm高亮度近紫外LED，其外延结构从下向上依次为：图形化蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、n型In_x1Ga_1‑x1N/Al_y1Ga_1‑y1N超晶格应力释放层、In_xGa_1‑xN/GaN/Al_yGa_1‑yN多量子阱有源层、p型Al_y2Ga_1‑y2N/GaN超晶格电子阻挡层、高温p型GaN层、p型InGaN接触层；其中有源层多量子阱采用In_xGa_1‑xN/GaN/Al_yGa_1‑yN阶梯式结构,其中In_xGa_1‑xN阱层的厚度范围在2‑4nm；GaN应力调控层厚度0.5‑5nm；AlGaN垒层厚度为8‑20nm；通过设计紫外光LED新型有源层结构，可有效缓解量子阱受到的应力，提高量子阱晶体质量，以提高近紫外LED发光效率。