低压-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱

摘要

本文报道了用低压（ＬＰ）－ＭＯＣＶＤ方法制备ＣｄＳ－ＺｎＳ应变多量子阱结构．通过Ｘ－射线衍射谱证实了所制备的样品具有比较好的多层结构，并通过７７Ｋ下的光致发光（ＰＬ）光谱。