机译:具有四级BAlGaN势垒的紫外近晶格匹配BAlGaN / BAlGaN量子阱结构的理论研究
Catholic Univ Daegu, Dept Elect Engn, Gyongsan 38430, Gyeongbuk, South Korea;
Univ Seoul, Dept Elect & Comp Engn, Seoul 02504, South Korea;
机译:用于紫外发光器件的晶格匹配双浸型BAlGaN / AIN量子阱结构
机译:紫外线BAlGaN / AlN光电器件的TM偏振光发射的理论研究
机译:掺硼对UV BAlGaN / AlN量子阱结构发光特性的影响
机译:自发极化对紫外BAlGaN / AlN量子阱结构光学性能的影响
机译:新材料系统中的新型分层半导体量子结构---氮化物量子级联发射器和检测器,具有量子级联激光泵浦的Fe:ZnSe发光,具有实时格林函数的理论方法以及双曲线超材料。
机译:四元GaAs1-x-y的电子和光学性质ñX双ÿ 与GaAs晶格匹配的合金:第一性原理研究
机译:关于Inas量子阱中迁移率的极限 格子匹配障碍