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李梅娇; 李凯; 朱明军; 郭志友; 孙慧卿;
广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州510631;
近紫外发光二极管; 多量子阱; 垒层; AlGaN;
机译:通过结构优化提高紫外量子阱发光二极管的性能
机译:InAlN底层对在近紫外InGaN / GaN单量子阱发光二极管中检测到的深陷阱的影响
机译:具有不对称三角多量子阱的基于近紫外GaN的发光二极管的改进性能
机译:具有不对称三角多量子阱的高效GaN基近紫外发光二极管
机译:氮化铝镓基多量子阱深紫外发光二极管的降解机理。
机译:III和N极性纳米柱紫外线多量子阱发光二极管的发光特性和表面钝化机理
机译:通过P型MGZNO电子阻挡层增强MgZnO / ZnO多量子阱发光二极管的紫外线发光二极管
机译:1979 - 2000年莫斯科宽带紫外线辐射(300-380 nm)和TOms紫外线估计的地面测量值之间的比较
机译:用于紫外线和/或近紫外可见光和/或近红外区域800-900 NM的光,清洁剂中包括清洁溶液,牙科治疗设备,牙齿清洁和牙齿清洁的紫外线照射和/或近紫外可见光清洁的水溶液
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