一种多晶硅发射极晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅发射极晶体管及其制作方法，在该制作方法中，由于在形成填充发射区窗口以及覆盖薄氧化层表面和厚氧化层表面的多晶硅层之后，直接采用刻蚀工艺来去除发射区窗口区域之外的区域的多晶硅层，因此与现有方法相比，不需要对多晶硅层进行光刻处理，从而节省了生产成本。并且，由于不需要对多晶硅层进行光刻处理，因此不存在现有方法中的将多晶硅发射极的宽度设计为大于发射区窗口的宽度，从而可以减小芯片面积，进一步降低多晶硅发射极晶体管的生产成本。