公开/公告号CN1280025C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-10-18
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申请/专利权人 利特斯公司;
申请/专利号CN02814823.1
申请日2002-05-31
分类号B05C11/10(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王永刚
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 08:58:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-12-17
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20081114 申请日:20020531
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
2006-10-18
授权
授权
2004-12-22
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-10-06
公开
公开
机译: 用于在衬底系统上沉积材料的设备,用于在衬底上沉积一个或多个层以及用于监视真空沉积系统的方法
机译: 用于在衬底上沉积材料的设备,用于在衬底上沉积一层或多层的系统以及用于监视真空沉积系统的方法
机译: 辉光放电沉积设备的改进,适用于在衬底上沉积半导体材料的设备的改进。在衬底的整个表面上均匀沉积半导体层的工艺,以及高速沉积非晶态半导体材料的工艺沉积设备