具有边缘端部结构的沟槽半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件及其形成方法的实施例包括提供具有顶表面、底表面、有源区和边缘区的半导体衬底，以及在半导体衬底的有源区中的第一沟槽中形成栅结构。在半导体衬底的边缘区中的第二沟槽中形成端部结构。端部结构具有面向有源区的侧面和面向器件周界的侧面。方法进一步包括在邻近栅结构的两侧面的半导体衬底中形成具有第一导电类型的第一和第二源区。在邻近端部结构的面向有源区的侧面的半导体衬底中形成第三源区。例如，半导体器件可为沟槽金属氧化物半导体器件。