公开/公告号CN1284245C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-11-08
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN03123843.2
申请日2003-05-14
分类号H01L27/12(20060101);H03K19/0948(20060101);
代理机构72003 隆天国际知识产权代理有限公司;
代理人潘培坤;楼仙英
地址 台湾省新竹
入库时间 2022-08-23 08:58:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-11-08
授权
授权
2004-09-01
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-06-23
公开
公开
机译: 在集成互补金属氧化物半导体电路导体的pmos晶体管的nmos和pmos晶体管中使用不同的栅极电介质-
机译: 具有控制栅极驱动器晶体管的非易失性半导体存储器,该控制栅极驱动器晶体管的栅极绝缘体厚度大于选择栅极驱动器晶体管的厚度
机译: 形成场效应晶体管的方法,形成场效应晶体管栅极的方法,形成包括晶体管栅极阵列和外围于该栅极阵列的电路的集成电路的方法,以及形成包括晶体管栅极阵列的集成电路的方法,该晶体管栅极阵列包括第一栅极和第二接地隔离门