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使用多栅极晶体管的互补金属氧化物半导体晶体管反向器

摘要

一种使用多栅极晶体管的互补式金属氧化物半导体晶体管反向器,该互补式金属氧化物半导体晶体管反向器包含:至少一第一多栅极晶体管,该第一多栅极晶体管包含一第一源极连接至一电源供应器,一第一漏极连接至一输出端,以及一第一栅极电极;至少一第二多栅极晶体管,该第二多栅极晶体管包含一第二源极连接至一接地端,一第二漏极连接至该输出端,以及一第二栅极电极;以及一输入端,连接至该第一栅极电极与该第二栅极电极。

著录项

  • 公开/公告号CN1284245C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-11-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN03123843.2

  • 发明设计人 杨育佳;杨富量;胡正明;

    申请日2003-05-14

  • 分类号H01L27/12(20060101);H03K19/0948(20060101);

  • 代理机构72003 隆天国际知识产权代理有限公司;

  • 代理人潘培坤;楼仙英

  • 地址 台湾省新竹

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-11-08

    授权

    授权

  • 2004-09-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-06-23

    公开

    公开

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