射频LDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种射频LDMOS器件，漂移区为非均匀掺杂结构，沟道到漏区之间依次为第一、第三和第二漂移区，第一漂移区的掺杂浓度最低，能降低沟道区附近的电场强度和热载流子效应，提高器件的可靠性；第二漂移区采用较高的掺杂浓度，能够降低器件的导通电阻；形成于第二漂移区表面的反掺杂覆盖层能有效地帮助耗尽漂移区、降低器件的输出电容，还能防止未覆盖法拉第屏蔽层的屏蔽介质层的电荷和界面态对器件的影响，使器件特性更加稳定。第二漂移区为过渡区能在不影响器件的可靠性和输出电容的情形下进一步增加器件的驱动电流、降低器件的导通电阻。本发明还公开了一种射频LDMOS器件的制造方法。