基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法

摘要

本发明公开了一种基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法；所述基于忆阻的多值存储单元是利用忆阻器的阻变特性，由多个忆阻器以特殊的连接方式构成。这种连接方式组成的多值存储单元继承了忆阻器，体积小，功耗低，可拓展性强的优点。相较于传统忆阻器存储结构，所述多值存储结构提供了更大的存储空间，为存储器设计提供了一种新的思路。所述多值存储单元的读写电路包括存储单元、控制开关以及电压比较电路。所述读写电路通过外加脉冲信号对读、写、擦除操作进行选择，本读写电路结构简单，所需器件少，读取结果精确且可结合选址电路用于大规模阵列存储。