公开/公告号CN105137537B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-03-06
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201510386760.5
申请日2015-06-30
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人曹玲柱
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 10:08:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-06
授权
授权
2016-01-06
实质审查的生效 IPC(主分类):G02B6/12 申请日:20150630
实质审查的生效
2015-12-09
公开
公开
机译: 基于InP的光子集成电路,具有含Al的波导核,基于InP的阵列波导光栅(AWG)和雪崩光电二极管(APD)以及其他包含InAlGaAs波导核的光学组件
机译: 基于InP的光子集成电路,具有含Al的波导核,基于InP的阵列波导光栅(AWG)和雪崩光电二极管(APD)以及其他包含InAlGaAs波导核的光学组件
机译: 光波导,半导体,激光-波导集成器件,半导体激光-波导-光电二极管集成器件,半导体-激光-波导模式匹配集成器件,模式匹配元件的制造方法