横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，该方法通过研磨栅极上方的阻挡层，直至露出栅极的方式，可以直接在阻挡层上形成栅极所在区域的图案，使得在栅极上形成低电阻区时不需要对栅极所在的区域进行对准，也就不存在光刻工艺中的对准偏差问题，满足半导体工艺的更小线宽和最低能耗需求。