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一种重频低磁场轴向C波段高功率微波器件

摘要

本发明公开了一种重频低磁场轴向C波段高功率微波器件,它包括阳极、阴极、引导磁场发生器、慢波结构和同轴内导体,所述的阳极内部设置有发射区和束波互作用区,所述的阴极设置在发射区内,所述的慢波结构和同轴内导体均设置在阳极的束波互作用区内,所述的阴极与同轴内导体同轴,慢波结构与阳极的内侧固定且设置在同轴内导体的外围,重频低磁场轴向C波段高功率微波器件内部抽真空形成一真空腔,真空腔的真空度不超过10毫帕。发射区与束波互作用区之间设置有挡板,挡板上设置有用于引导阴极产生的强流电子束进入束波互作用区的注入口,注入口为环形,环形的直径与阴极直径一致。本发明具有可重频产生C波段高功率微波,束波转换效率高的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN106098510B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201610512851.3

  • 发明设计人 张运俭;孟凡宝;丁恩燕;陆巍;

    申请日2016-07-04

  • 分类号H01J25/10(20060101);

  • 代理机构51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司;

  • 代理人詹永斌

  • 地址 621000 四川省绵阳市919信箱1013分箱

  • 入库时间 2022-08-23 10:08:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-16

    授权

    授权

  • 2016-12-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J25/10 申请日:20160704

    实质审查的生效

  • 2016-11-09

    公开

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